Разработка детектора высокочастотного излучения

К контактам X1 подключается телескопическая антенна, к контактам X2 и X5 - источник питания 9В, а к контактам X3 и X4 - наушники через соответствующий разъем. Наушники могут использоваться любые с сопротивлением более 30 Ом. При необходимости громкость можно изменить подбором резистора R26 (увеличение сопротивления приводит к уменьшению громкости).

5. Выбор компонентов дл

я разработки схемы

Выбор компонентов является одной из самых важных процедур, так как именно от этого выбора будут зависеть многие параметры

сконструированного прибора. Элементную базу конструкции можно рассматривать с трех сторон:

со стороны разработчика (серия должна обеспечивать минимальную массу, объем, потребляемую мощность, максимальное быстродействие);

со стороны изготовителя (серия микросхем должна позволять автоматизацию сборки, сквозной контроль всех работоспособности всех уровней конструкции, допускать замену элементов на более новые, допускать усовершенствование конструкции несложным путем);

со стороны пользователя (простота обслуживания, ремонта, высокая надежность, качество, невысокая стоимость).

Оптимальным вариантом будет совместить эти стороны рассмотрения элементной базы таким образом, чтобы компоненты удовлетворяли, по возможности, всех сразу, то есть найти компромисс между разработчиком, изготовителем и пользователем изделия.

В качестве самого наглядного и эффективного метода выбора компонентов для построения схемы используют метод с использованием матрицы нормированных параметров. В ее основе лежит простая таблица наиболее важных и приоритетных параметров компонентов для конструируемого прибора.

5.1 Выбор ИМС операционного усилителя

Для начала выберем операционный усилитель, который подходят для конструкции разрабатываемого прибора. Это будут следующие ИМС:

К554СА1;

КМ597СА2;

LM324.

Оценку этих компонентов будем проводить по таким параметрам:

средний входной ток Iвх;

выходной ток Iвых;

коэффициент усиления Кv;

напряжение питания Uпит;

При помощи матрицы параметров выбираем какая микросхема больше подходит для разрабатываемого устройства.

Таблица 5.1.1 Параметры выбираемых микросхем [6-9]

Составляем матрицу параметров:

75 0.5 75∙103 9

Х = 10 5 150∙103 9

0.05 20 25∙106 9

Строим матрицу приведенных параметров, используя формулу (1.1):

0.013 0.5 75∙103 0.11

Y = 0.1 5 150∙103 0.11

20 20 25∙106 0.11

После этого параметры матрицы Y нормируют по формуле (1.2):

0.999 0.975 0.997 0

А = 0.995 0.75 0.994 0

0 0 0 0

По формуле (1,3) находим значения оценочной функции:

QК554СА1 = 0.742

Q КМ597СА2 = 0.684

Q LM324 = 0

По полученным значениям оценочной функции можно сказать, что операционный усилитель LM324 наилучший из всех рассматриваемых (ему соответствует минимальное значение оценочной функции). Его и будем применять в схеме.

5.2 Выбор типа резисторов

Таблица 5.2.1 Параметры выбираемых типов резисторов [7]

Составляем матрицу параметров:

Параметры в матрице X должны соответствовать такому виду, чтобы большему значению параметра соответствовало лучшее качество ИС. В данном случае все параметры пересчитываются формуле (1.1)

Пересчитав эти параметры, получаем такую матрицу Y:

После этого параметры матрицы Y нормируют по формуле (1.2)

В результате нормирования получим матрицу A (в ней есть обязательно хотя бы один нуль). Матрица А имеет такой вид:

Для обобщенного анализа системы параметров элементов вводят оценочную функцию (1,3). Весовые коэффициенты приведены в таблице 5.2.1.

Определим оценочные функции (приведем их в матричном виде):

По полученным значениям оценочной функции можно сказать, что резисторы типа С2-23 наилучшие среди рассматриваемых (резисторам этого типа соответствует минимальное значение оценочной функции).

5.3 Выбор транзисторов

В таблице 5.3.1 приведены несколько зарубежных транзисторов которые подходят для нашей схемы, а также их отечественные аналоги.

 Скачать реферат