Радиоприемные устройства
Для снижения паразитной емкости между и коэффициент связи между ними, обеспечивая согласование, должен быть наименьшим. Найдем минимальный коэффициент связи при котором обеспечивается согласование. <
p>(3.6)
Подставив данные в (3.6) найдем коэффициент связи:
Найдем коэффициент передачи входной цепи:
(3.7)
где - коэффициент передачи фидера определяемый из графика (рис. 4.) по произведению (- затухание в фидере; - длина фидера);- коэффициент передачи собственно входной цепи при согласовании равный
(3.8)
Рис. 4. Зависимость от произведения
Из графика находим =0,88
Подставив значения в (3.8) получим
Подставив полученное значение в (3.7) найдем коэффициент передачи входной цепи:
Обобщенная расстройка зеркального канала при нижней настройке гетеродина и заданном эквивалентном затухании (было выбрано dэр=0,04) рассчитывается по формуле:
(3.9)
Подставив значения в (3.9) получим, что 23,6 раз≈27 дБ
Рис. 5.
Выбрав структурную схему преселектора вида (рис. 6)
Рис. 6.
Найдем из графика (рис. 5.) ослабление по зеркальному каналу Seзк=56 дБ. Обобщенная расстройка соседнего канала на краях полосы пропускания преселектора определяется по формуле:
Рис. 7.
Используя график (рис. 7.) найдем ослабление для выбранной структурной схемы преселектора: Seпр= 1,5 дБ
Рассчитать ослабление которое можно допустить в ФСИ по формуле:
Для выбранного преселектора обобщенную растройку для соседнего канала определяем по формуле:
Ппч=1,5 МГц =(растройка, соответствующая соседнему каналу)
По графику (рис. 7.) найдем значение ослабления соседнего канала создаваемого преселектором. 3,0 дБ.
Определить ослабление соседнего канала требуемое от ФСИ можно по формуле:
где - полное ослабление соседнего канала, требуемое в приемнике. Для бытовых приемников обычно принимают =30 дБ.
3.3 Расчет УВЧ
По техническому заданию схема УВЧ ОЭ (рис. 8).
Рис. 8. Принципиальная схема УВЧ.
Используя графики (рис. 9.-рис.11.) и справочные таблицы определю параметры транзистора ГТ311Е и его рабочую точку
Параметры транзистора:
Определение рабочей точки транзистора:
По ТЗ . Тогда: Іб=0,1 мА. Uбэ=0,32 В; Uкэ=3 В; Пусть ЕК=9 В.
Рис. 9. Зависимость проводимости прямой передачи Y21Э от частоты и тока коллектора.
Рис. 10. Зависимость входной проводимости Y11Э от частоты и тока коллектора.
Рис. 11. зависимость выходной проводимости Y22Э от частоты и тока коллектора.
Изменение обратного тока коллектора Ікбо=0,83мкА;(Т0=293К)
Для транзисторов серии ГТ –
Т0=293К
Ттах=+550С=328К
Ттіп= -250С=248К
Тогда
Тепловое смещение напряжения базы определяется по формуле:
Нестабильность тока коллектора определяется по формуле при =3 мА:
Сопротивлении резистора R3 рассчитывается по формуле:
R3= (3.10)
Где
Тогда R3=
R4 рассчитывается по формуле:
Сопротивления резисторов рассчитываются по формулам:
Емкости блокирующих конденсаторов С3, С5 рассчитываются по формулам. Подставляя значения, получим:
С6 можно рассчитать по формуле:
,
где ;
пФ; пусть С6=62 пФ
Из условия обеспечения заданной полосы пропускания приемника определяем эквивалентное затухание контура по формуле:
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
- Математическое обеспечение схемотехнического проектирования
- Изучение принципа действия стабилитрона, освоение методики расчета схемы параметрического стабилизатора напряжения
- Расчет радиоприёмного устройства
- Проектирование гибридных интегральных микросхем и расчет элементов узлов детектора СВЧ-сигналов
- Полупроводниковые резисторы
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем