Радиопередающее устройство, работающее в режиме однополосной модуляции

- Конструктивно-габаритные параметры приведены на рис. 3.

Рис. 3. Конструктивно-габаритные параметры транзистора 2Т925В.

2.2 Расчет входной цепи транзистора

Предполагается, что между базой и эмиттером транзистора по радиочастоте включен резистор , предназначенный для устранения "искажений" в импульсах коллекторного тока.

Омт

В реальной схеме усилителя мощности можно не ставить , однако при проведении последующих расчетов необходимо учитывать.

Коэффициент, учитывающий уменьшение усиления по току:

Амплитуда тока базы:

А

Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов:

А

Напряжение смещения на эмиттерном переходе:

В

Требуемая входная мощность от предварительного усилителя:

Вт

2.3 Расчет коллекторной цепи оконечного каскада

Амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе в критическом режиме:

В

В

Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:

А

Постоянная составляющая коллекторного тока:

А

Максимальная мощность, потребляемая от источника питания:

Вт

КПД коллекторной цепи при номинальной нагрузке:

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:

Вт

Добавочное сопротивление эмиттерной нагрузки:

Страница:  1  2  3  4  5  6  7  8  9 


Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2024 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы