Расчёт интегральной микросхемы
где смысл параметров ясен из рисунка 4.1.
=
см;
=
см;
=
eight=24 src="images/referats/15375/image124.png">см;
=
см;
=
см; l=
см.
![]() |
,
,
пФ ,
пФ.
Так как значения паразитных емкостей незначительны, то никаких мер принимать не следует.
6. Оценка надежности ИМС
В данном случае интенсивность отказов полупроводниковой ИМС с учетом того, что время появления внезапных отказов распределено по экспоненциальному закону, определяется выражением
(6.1)
где m – число групп элементов;
- число элементов данного типа;
- поправочный коэффициент, учитывающий влияние температуры окружающей среды и электрической нагрузки;
- поправочный коэффициент, учитывающий влияние механического воздействия, влажности и изменение атмосферного давления;
;
=1,07 для полевых условий эксплуатации,
=2,5 при влажности 90% и температуре 40
,
=1 для высоты уровня моря;
- интенсивность отказов элементов, металлизации, кристалла и конструкции.
Значения интенсивностей отказов определим по следующим формулам
, (6.2)
, (6.3)
, (6.4)
где - интенсивность отказов из-за дефектов, обусловленных диффузией (
=
);
- интенсивность отказов из-за дефектов металлизации (
=
);
- интенсивность отказов из-за дефектов оксида (
=
);
- интенсивность отказов из-за дефектов от посторонних включений в корпусе (
=
);
- интенсивность отказов из-за поверхностных и структурных дефектов кристалла (
=
);
- интенсивность отказов из-за некачественного крепления кристалла (
=
);
- интенсивность отказов из-за обрыва термокомпрессионного сварного соединения (
=
);
- интенсивность отказов из-за повреждения корпуса(для пластмассового корпуса
=
);
,
,
- интенсивности отказов элементов, металлизации, и кристалла соответственно;
- число стадий диффузии при формировании элемента (для транзистора – 4, для резистора – 2, для конденсатора – 3);
,
,
- площади элементов, металлизации, и кристалла соответственно(площадь одного транзистора составляет – 0,015
, конденсатора – 0,058
, суммарная площадь металлизации – 0,32
, площадь кристалла – 1,15
).
К компонентам ненадежности относится также корпус и соединения, значения интенсивностей отказов которых были рассмотрены ранее.
2,675*(12*1,1*(
*4+
*0,015)+1,7*(
*2+
*0,073)+ 1,7*(
*2+
*0,012)+1,7*(
*2+
*0,003)+ 1,7*(
*2+
*0,01)+1,7*(
*2+
*0,009)+1,2*(
*2+
*0,058)+1,3(
+
+
)*0,32+
*1,15+
+
+
=
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем