Расчёт интегральной микросхемы

, (2.4)

где - погрешность растравливания окон (=0,2¸0,5 мкм);

- погрешность ухода диффузионного слоя под ма

скирующий окисел (» 60% базового и 80% эмиттерного слоёв).

пром=7,3-2×(0,5+1,8)=2,7 мкм

Реальная ширина резистора на кристалле:

(2.5)

где топ – топологическая ширина резистора.

Отсюда =9,6.

Расчётную длину резистора определяют по формуле:

(2.6)

где n1 – число контактных площадок резистора (n=2);

k1 – поправочный коэффициент, определяемый по номограмме (k1=0,5).

Тогда имеем

=50,4 мкм.

Затем рассчитывают промежуточное значение длины:

(2.7)

Реальная длина резистора на кристалле:

(2.8)

Аналогично рассчитываем резисторы R2, R3, R4, R6. Полученные данные заносим в таблицу 3.1.

Таблица 3.1

Расчет конденсатора

Выбор конструкции конденсатора определяется значениями допустимого рабочего напряжения и номинальной емкости . Напряжение ограничено величиной напряжения пробоя p-n-перехода. Напряжения пробоя p-n-перехода коллектор – база и эмиттер – база рассчитывались ранее при проектировании биполярного транзистора и имеют следующие значения: =116 В, =6,78 В. И то и другое пробивное напряжение обеспечивает заданное . Удельную емкость p-n-перехода коллектор – база и эмиттер – база при нулевом смещении на нем (=0В, =0В) также рассчитывались при проектировании биполярного транзистора и имеют следующие значения: =9,69*10-9 Ф/см2, =1.06*10-7 Ф/см2. Таким образом целесообразно выбрать удельную емкость, которая в наилучшей степени обеспечивает площадь конденсатора, соизмеримую с площадью, занимаемой транзистором, то есть выбираем конденсаторы на основе p-n-перехода эмиттер – база.

 Скачать реферат