Разработка конструкции и технологии микроэлектронного варианта формирователя опорной частоты 10 МГц
Выбираем резистивный материал (Л1, табл 2.1) – сплав Кермет К50-С, имеющий величину сопротивления на квадрат резистивной плёнки , удельную мощность рассеяния , температурный коэффициент сопротивления (ТКС) .
Коэффициент формы . Фотолитографией возможно изготовление резисторов с коэффициентом формы . В случае селективного травления проводящего и резистивного слоёв, контактные площадки выполняются без припуска на совмещение слоёв (Л1, Рис.2.1.а).
Относительная погрешность сопротивления за счёт влияния температуры эксплуатации . Так как МСБ перегревается также за счёт «внутренних» тепловыделений увеличим в 1,1 раза, получим . Относительная погрешность сопротивления за счёт старения . Относительная погрешность сопротивления за счёт переходного сопротивления между резистивным слоем и контактной площадкой принимается равной . Относительная погрешность обеспечения величины :
Погрешность коэффициента формы:
Ширина резистора , обеспечивающая получившееся :
где - абсолютные производственные погрешности изготовления при фотолитографическом методе.
Определим минимально допустимое значение ширины резистора с учётом обеспечения заданной мощности рассеяния:
Расчётное значение ширины резистора , при этом - технологически реализуемая ширина резистора.
Определим фактические геометрические размеры резистора:
Площадь резистивной полоски
Определяется фактическая нагрузка резистора по мощности:
Удельная мощность
Нагрузка по мощности
Определим фактическую погрешность коэффициента формы:
Аналогичным образом ведётся расчёт оставшихся резисторов проектируемой МСБ. Результаты расчётов тонкоплёночных резисторов представлены в виде таблицы:
Таблица 1
Поз. обозначе-ние |
Номинал, допуск, мощность |
Материал |
Ом/кв |
|
% |
% |
мм |
мм |
|
|
R1,R2 |
100Ом±5% |
Кермет |
5000 |
0,02 |
1,5 |
1 |
Навесной | |||
R3,R4, |
51Ом±5% |
Кермет |
5000 |
0,01 |
1,5 |
1 |
Навесной | |||
R9,R10 |
51Ом±5% |
Кермет |
5000 |
0,01 |
1,5 |
1 |
Навесной | |||
R5,R6 |
3.6кОм±5% |
Кермет |
5000 |
0.72 |
-2,64 |
1 |
2,63 |
1,89 |
0,65 |
- |
R7,R8 |
5.6кОм±5% |
Кермет |
5000 |
1,12 |
-2,64 |
1 |
3,77 |
4,22 |
0,49 |
- |
R11,R12 |
1кОм±5% |
Кермет |
5000 |
0,2 |
-2,64 |
1 |
3,77 |
0,75 |
0,20 |
- |
Резисторы R1,R2: чип резистор 0.063Вт 0603 5% 100 Ом (http://www.chipdip.ru/product0/41371.aspx)
Резисторы R3,R4,R9,R10: чип резистор 0.063Вт 0603 5% 51 Ом (http://www.chipdip.ru/product0/50777.aspx)
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем