Разработка конструкции и технологии микроэлектронного варианта формирователя опорной частоты 10 МГц

Выбираем резистивный материал (Л1, табл 2.1) – сплав Кермет К50-С, имеющий величину сопротивления на квадрат резистивной плёнки , удельную мощность рассеяния , температурный коэффициент сопротивления (ТКС) .

Коэффициент формы . Фотолитографией возможно изготовление резисторов с коэффициентом формы . В случае селективного травления проводящего и резистивного слоёв, контактные площадки выполняются без припуска на совмещение слоёв (Л1, Рис.2.1.а).

Относительная погрешность сопротивления за счёт влияния температуры эксплуатации . Так как МСБ перегревается также за счёт «внутренних» тепловыделений увеличим в 1,1 раза, получим . Относительная погрешность сопротивления за счёт старения . Относительная погрешность сопротивления за счёт переходного сопротивления между резистивным слоем и контактной площадкой принимается равной . Относительная погрешность обеспечения величины :

Погрешность коэффициента формы:

Ширина резистора , обеспечивающая получившееся :

где - абсолютные производственные погрешности изготовления при фотолитографическом методе.

Определим минимально допустимое значение ширины резистора с учётом обеспечения заданной мощности рассеяния:

Расчётное значение ширины резистора , при этом - технологически реализуемая ширина резистора.

Определим фактические геометрические размеры резистора:

Площадь резистивной полоски

Определяется фактическая нагрузка резистора по мощности:

Удельная мощность

Нагрузка по мощности

Определим фактическую погрешность коэффициента формы:

Аналогичным образом ведётся расчёт оставшихся резисторов проектируемой МСБ. Результаты расчётов тонкоплёночных резисторов представлены в виде таблицы:

Таблица 1

Поз. обозначе-ние

Номинал, допуск, мощность

Материал

Ом/кв

%

%

мм

мм

R1,R2

100Ом±5%

Кермет

5000

0,02

1,5

1

Навесной

R3,R4,

51Ом±5%

Кермет

5000

0,01

1,5

1

Навесной

R9,R10

51Ом±5%

Кермет

5000

0,01

1,5

1

Навесной

R5,R6

3.6кОм±5%

Кермет

5000

0.72

-2,64

1

2,63

1,89

0,65

-

R7,R8

5.6кОм±5%

Кермет

5000

1,12

-2,64

1

3,77

4,22

0,49

-

R11,R12

1кОм±5%

Кермет

5000

0,2

-2,64

1

3,77

0,75

0,20

-

Резисторы R1,R2: чип резистор 0.063Вт 0603 5% 100 Ом (http://www.chipdip.ru/product0/41371.aspx)

Резисторы R3,R4,R9,R10: чип резистор 0.063Вт 0603 5% 51 Ом (http://www.chipdip.ru/product0/50777.aspx)

Страница:  1  2  3  4  5  6  7  8 


Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2024 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы