Разработка конструкции и технологии микроэлектронного варианта формирователя опорной частоты 10 МГц
Рис.3 Корпус SMD резисторов в корпусе 0603: R1, R2, R3, R4, R9, R10.
Расчёт тонкоплёночных конденса
торов
Расчёт конденсатора С1
Номинальная ёмкость конденсатора , эксплуатационная погрешность ; рабочее напряжение на конденсаторе , напряжение на конденсаторе , максимальная положительная и отрицательная температуры по ТЗ , , время работы
Выбираем материал диэлектрика (Л1, табл. 2.3) – стекло электровакуумное С41-1 с удельной ёмкостью , электрическая прочность , диэлектрическая проницаемость и температурным коэффициентом ёмкости .
Толщина диэлектрического слоя, обеспечивающая электрическую прочность конденсатора , а уровень удельной ёмкости .
Температурная составляющая погрешности:
- её для надёжности можно увеличить в 1.2 раза ,
- увеличим в 1.2 раза .
Погрешность за счёт старения: , погрешность верхней обкладки конденсатора.
где - относительная погрешность обеспечения . Примем .
Тогда
Удельная емкость, обусловленная конечной точностью изготовления размеров верхней обкладки ровна:
где - коэффициент формы тонкопленочного конденсатора, применим ;
- производственные погрешности изготовления длины и ширины конденсатора. При
Расчетное значение необходимо выбрать из условия: . Принимаем
Фактическое значение толщины диэлектрического слоя
Проверим напряженность электрического поля в конденсаторе:
Определим геометрические размеры конденсатора.
Площадь верхней (активной) обкладки:
Длина и ширина
;
Размеры нижней обкладки:
где . Примем
Тогда
Размеры диэлектрического слоя:
Фактическое значение погрешности активной площади:
Аналогичным образом рассчитаем оставшиеся конденсаторы проектируемой МСБ. Результаты расчётов тонкоплёночных конденсаторов представлены в виде таблицы:
Таблица 2
Поз. Обозна-чение |
Номинал, допуск, мощность |
Материал |
|
|
|
|
|
|
|
С1 |
10мкФ±20% |
Стекло электро-вакуумное С41-1 |
50000 |
5 |
141.42 |
142.02 |
142.62 |
200 |
9.2 |
С2 |
0.1мкФ±20% |
Стекло электро-вакуумное С41-1 |
50000 |
5 |
14.14 |
14.74 |
15.34 |
2 |
9.2 |
С3,С4 |
0.01мкФ±20% |
Стекло электро-вакуумное С41-1 |
50000 |
5 |
4.47 |
5.07 |
5.67 |
0.2 |
9.2 |
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем