Приёмник радиолокационной станции диапазона 800 МГц

XCЭ<<RЭ,

или

,

.

Выбираю конденсатор по шкале Е24 номиналом 130пФ.

3.8.5 Ёмкость разделительных конденсаторов СР1 и СР2 найду из соображения малого падения напряжения на них

Реактивное сопротивление конденсатора должно быть мног

о меньше входного сопротивления следующего каскада. Ёмкость конденсаторов можно найти по формуле:

,

,

,

Выбираю по шкале Е24 конденсатор СР1 номинальной ёмкостью 620пФ.

3.8.6 Ёмкость конденсатора фильтра можно найти по приближённой формуле

,

.

Принимаю величину ёмкости Cф по шкале Е24 номиналом 1500пФ.

4. Расчёт смесителя

4.1 Параметры полевого транзистора в режиме преобразования частоты

Входная проводимость:

g11ПР≈0,6×g11С,

где g11С - входная проводимость в режиме усиления на частоте сигнала,

g11ПР≈0,6×2,84×10-3=1,7×10-3См;

крутизна преобразования:

Y21ПР=0,25×Y21П,

Y21ПР=0,25×3,33×10-3=8,33×10-4См;

выходная проводимость:

g22ПР≈0,4×g22,g22ПР≈0,4×1×10-4=4×10-5См;

проводимость обратной связи:

Y12ПР≈0,15×Y12П,

где Y12П - проводимость обратной связи на промежуточной частоте,

Y12ПР≈0,15×(-5,65×10-5) =8,5×10-6См;

ёмкости затвор-исток, затвор-сток и сток-исток и выходная ёмкость остаются без изменений:

СЗ-И=1,5пФ,

СЗ-С=0,3пФ,

СС-И=1,1пФ,

С22И=1,4пФ.

4.2 Найду устойчивый коэффициент усиления смесителя

,

.

4.3 Положение рабочего участка смесителя выбираю на линейном участке зависимости крутизны транзистора от напряжения затвор-исток

Напряжение затвор-исток в середине рабочего участка смесителя:

UЗ-И 0=3В,

ток стока в рабочей точке смесителя:

IC 0=10мА.

Ширина рабочего участка:

2ΔUЗ-И=6В,

амплитуда гетеродина:

UГЕТm=0,5×2ΔUЗ-И,

UГЕТm=0,5×6=3В.

Действующее значение напряжения гетеродина:

,

.

4.4 Расчёт избирательной системы цепи стока

4.4.1 Коэффициент, учитывающий нестабильность формы частотной характеристики из-за влияния входных и выходных ёмкостей усилительного прибора

,

где b - относительное изменение ёмкости, которое может быть равным 0,1…0,3;

μ - коэффициент, учитывающий степень подверженности частотной характеристики фильтров влиянию вносимых ёмкостей, для схемы на двухконтурных фильтрах μ=0,8…1,0.

4.4.2 Определяю критические значения затухания контура

,

,

где dK - конструктивное затухание контура, для частоты 30МГц dK=0,01,C11 - входная ёмкость каскада следующая за смесителем, C11=2пФ,

C22 -выходная ёмкость полевого транзистора, C22=1,4пФ,

g11 - входная проводимость каскада следующая за смесителем, g11=2,25×10-3,g22ПР - выходная проводимость полевого транзистора при преобразовании.

,

.

4.4.3 Сравниваю полученное ранее при предварительном расчёте эквивалентное затухание контуров dЭК с найденными значениями критического затухания

dЭК=0,01257,d'=0,047,d"=0,392.

Очевидно, что dЭК<d' - режим максимального усиления обеспечивается без ограничений.

4.4.4 Коэффициент включения в базовую цепь следующего транзистора

,

.

Коэффициент включения контура в коллекторную цепь принимают равным единице (полное включение контура в цепь коллектора):

m1=1.

4.4.5 Эквивалентная ёмкость первого и второго контура

,

.

4.4.6 Резонансный коэффициент усиления отдельного каскада

,

.

Коэффициент усиления не превышает значения устойчивого усиления:

K01<KУСТ.

4.4.7 Ёмкость первого контура

,

.

Принимаю ёмкость первого контура СК1 равной 160пФ по шкале Е24.

4.4.8 Ёмкость второго контура СК21

,

.

Принимаю ёмкость второго контура СК21 равной 180пФ по шкале Е24.

4.4.9 Ёмкость второго контура СК22

,

.

Принимаю ёмкость второго контура СК22 равной 1200пФ по шкале Е24.

4.4.10 Индуктивности контуров

,

где СК=СК2=СК2=160пФ.

.

4.4.11 Коэффициент связи между контурами при критической связи

k=dЭК,

k=0,01257.

4.4.12 Ёмкость конденсатора внешнеемкостной связи

ССВ=k×СК,

ССВ=0,01257×160=2,01пФ.

Принимаю номинал ёмкости конденсатора связи по шкале Е24 равным 2пФ.

4.5 Найду требования к колебанию гетеродина

4.5.1 Нагрузкой транзистора является колебательный контур. Резонансная проводимость контура

,

.

Страница:  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 


Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2024 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы