Конструирование
Таблица 2.3.
Наименование элемента | lо·10-61/час |
Микросхемы средней степени интеграции Большие интегральные схемы | 0,013 0,01 |
Транзисторы германиевые: Маломощные Средней мощности Мощностью более 200мВт | 0,7 0,6 1,91 |
Кремниевые транзисторы: Мощностью до 150мВт Мощностью до 1Вт Мощностью до 4Вт | 0,84 0,5 0,74 |
Высокочастотные транзисторы: Малой мощности Средней мощности | 0,2 0,5 |
Транзисторы полевые | 0,1 |
Конденсаторы Бумажные Керамические Слюдяные Стеклянные Пленочные Электролитические(алюминиевые) Электролитические(танталовые) Воздушные переменные | 0,05 0,15 0,075 0,06 0,05 0,5 0,035 0,034 |
Резисторы: Композиционные Плёночные Угольные Проволочные | 0,043 0,03 0,047 0,087 |
Диоды: Кремниевые Выпрямительные Универсальные Импульсные | 0,2 0,1 0,05 0,1 |
Стабилитроны Германиевые | 0,0157 |
Трансформаторы: Силовые Звуковой частоты Высокочастотные Автотрансформаторные | 0,25 0,02 0,045 0,06 |
Дроссели: Катушки индуктивности Реле | 0,34 0,02 0,08 |
Антенны Микрофоны Громкоговорители Оптические датчики | 0,36 20 4 4,7 |
Переключатели, тумблеры, кнопки Соединители Гнёзда | 0,07n 0.06n 0.01n |
Пайка навесного монтажа Пайка печатного монтажа Пайка объёмного монтажа | 0,01 0,03 0,02 |
Предохранители | 0,5 |
Волноводы гибкие Волноводы жёсткие | 1,1 9,6 |
Электродвигатели Асинхронные Асинхронные вентиляторы | 0,359 2,25 |
Определим произведение коэффициентов влияний:
li = a х lо, (2.1)
где:
li - произведение коэффициентов влияний;
a - коэффициент влияния температуры;
lо - интенсивность отказов.
li =0,50,2=0,1
В двенадцатой колонке определяем:
lс = li х n, (2.2)
где:
li - произведение коэффициентов влияний;
n - количество элементов.
lс=0,11=0,1
Определим среднее время наработки на отказ:
, (2.3)
где:
Тср – среднее время наработки на отказ
Slс – суммарное значение двенадцатой колонки
Slс = 7,83
Тср = 1/7,8310-6 = 1,3105 часов
3. Конструкторская часть
3.1 Обоснование выбора элементов схемы
3.1.1 Обоснование выбора транзисторов
В ключевом режиме работает транзистор VT2 ПДУ. Произведём выбор наиболее подходящего полупроводникового прибора из ниже приведённого списка.
Таблица 3.1
Тип транзистора | Обратный ток коллектора | Номинальный прямой ток коллектора |
КТ315Б | 1мкА | 0,3А |
КТ101А | 1мкА | 0,1А |
КТ312А | 1мкА | 0,2А |
Выбираем транзистор с наибольшим допустимым прямым током типа КТ315Б.
Цепи усиления принятого приёмником сигнала построены на биполярных транзисторах.
Таблица 3.2
Тип транзистора | Статический коэффициент усиления | Номинальный прямой ток стока |
КТ315Б | 150-200 | 0,3А |
КТ3102А | 350 | 0,3А |
КТ312А | 150 | 0,2А |
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
- Проектирование блока буферной памяти
- Передача информации по каналу с решающей обратной связью
- Биллинговые системы
- Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле. Инжекционно-полевая логика
- Удаление загрязнений с оптических и механических деталей. Сборка зеркал и призм в оправах
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем