Конструирование
Технология производства радиоаппаратуры. Учебник для техникумов. М., «Энергия», 1972, 376с.
2. Горшков Н.Н.
Полупроводниковые приборы: Транзисторы, справочник, 2-е изд., перераб.-М.:Энергоатомиздат,1985г –904с.
3. Лернер М.М.
Выбор конденсаторов для радиоэлектронных устройств, М., «Энергия», 1970.
4. Малинин Р.М.
Справочник радиолюбителя конструктора Изд. 2-е., перераб.-
М.:Энергия, 1977г,752с.
5.Павлов С.П.
Охрана труда в радиоэлектронной промышленности: Учебник для техникумов.-2-е изд., перераб. и доп.- М.: Радио и связь, 1985.-200с.
6.Фрумкин Г.Д.
Расчёт и конструирование радиоэлектронной аппаратуры :учеб. Пособие для радиотехнич. Спец. Техникумов. 4-е изд., перераб. и доп. –М.:высш.шк., 1985г-287с.
зона |
Поз.обознач. |
Наименование |
Кол-во. |
Примечание | ||||||||||||
Пульт дистанционного управления | ||||||||||||||||
Резисторы | ||||||||||||||||
R1 |
МЛТ – 0,125 – 3,3 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
R2 |
МЛТ – 0,125 – 43 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
Конденсаторы | ||||||||||||||||
С1 |
КМ - 5Б – 1000 пФ ±5% |
1 | ||||||||||||||
Диоды | ||||||||||||||||
BI1 |
АЛ147А |
1 | ||||||||||||||
Транзисторы | ||||||||||||||||
VT1 |
КТ361Б |
1 | ||||||||||||||
VT2 |
КТ315Б |
1 | ||||||||||||||
Приёмник | ||||||||||||||||
Резисторы | ||||||||||||||||
R1,4,11 |
МЛТ – 0,125 – 1 кОм ±10% |
3 | ||||||||||||||
R2,5 |
МЛТ – 0,125 – 10 кОм ±10% |
2 | ||||||||||||||
R3 |
МЛТ – 0,125 – 300 Ом ±10% |
1 | ||||||||||||||
R6 |
МЛТ – 0,125 – 100 Ом ±10% |
1 | ||||||||||||||
R7,10,18 |
МЛТ – 0,125 – 15 кОм ±10% |
3 | ||||||||||||||
R8 |
МЛТ – 0,125 – 2,2 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
R9 |
МЛТ – 0,125 – 220 Ом ±10% |
1 | ||||||||||||||
R12,13 |
МЛТ – 0,125 – 30 кОм ±10% |
2 | ||||||||||||||
R14 |
МЛТ – 0,125 – 3 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
R15 |
МЛТ – 0,125 – 6,8 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
R16 |
МЛТ – 0,125 – 510 Ом ±10% |
1 | ||||||||||||||
R17 |
МЛТ – 0,125 – 22 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
R19 |
МЛТ – 0,125 – 1,5 МОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
R20 |
МЛТ – 0,125 – 820 Ом ±10% |
1 | ||||||||||||||
R21 |
МЛТ – 0,125 – 43 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ документа |
Подп. |
Дата | ||||||||||||
Разраб. |
Лит |
Лист |
Листов | |||||||||||||
Проверил |
1 |
3 | ||||||||||||||
Утвердил | ||||||||||||||||
Зона |
Поз.обознач. |
Наименование |
Кол-во. |
Примечание | ||||||||||||
R22 |
МЛТ – 0,125 – 110 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
R23 |
МЛТ – 0,125 – 1,8 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
R24 |
МЛТ – 0,125 – 8,2 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
R25 |
МЛТ – 0,125 – 1,5 кОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
R26,27 |
МЛТ – 0,125 – 5,1 кОм ±10% |
2 | ||||||||||||||
R28,29 |
МЛТ – 0,125 – 1 кОм ±10% |
2 | ||||||||||||||
R30 |
МЛТ – 0,125 – 150 Ом ±10% |
1 | ||||||||||||||
R31 |
МЛТ – 0,125 – 1 МОм ±10% |
1 | ||||||||||||||
Конденсаторы | ||||||||||||||||
С1,5,13 |
КМ - 5Б – 0,01 мкф ±5% |
3 | ||||||||||||||
С2 |
К50 – 35 – 4,7 мкф х 25В ±5% |
1 | ||||||||||||||
С3 |
КМ - 5Б – 0,015 мкф ±5% |
1 | ||||||||||||||
С4,6 |
К50 – 35 – 47 мкф х 25В ±5% |
2 | ||||||||||||||
С7,8 |
КМ - 5Б – 150 пф ±5% |
2 | ||||||||||||||
С9 |
КМ - 5Б – 360 пф ±5% |
1 | ||||||||||||||
С10,19 |
К50 – 35 – 10 мкф х 25В ±5% |
2 | ||||||||||||||
С11 |
КМ - 5Б – 3300 мкф ±5% |
1 | ||||||||||||||
С12 |
К50 – 35 – 1 мкф х 25В ±5% |
1 | ||||||||||||||
С14 |
КМ - 5Б – 0,15 мкф ±5% |
1 | ||||||||||||||
С15 |
К50 – 35 – 470 мкф х 25В ±5% |
1 | ||||||||||||||
С16,17 |
КМ - 5Б – 0,1 мкф ±5% |
2 | ||||||||||||||
С18 |
К50 – 35 – 220 мкф х 25В ±5% |
1 | ||||||||||||||
С20 |
КМ - 5Б – 0,1 мкф ±5% |
1 | ||||||||||||||
Микросхемы | ||||||||||||||||
DD1 |
К561ЛН2 |
1 | ||||||||||||||
DD2 |
К561ТМ2 |
1 | ||||||||||||||
DА1 |
КР142ЕН8А |
1 | ||||||||||||||
Диоды | ||||||||||||||||
VD1 |
ФД263 |
1 | ||||||||||||||
VD2-4 |
КД522А |
3 | ||||||||||||||
VD5-8 |
КД213А |
4 | ||||||||||||||
VD9-12 |
КД105Б |
4 | ||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ документа |
Подп. |
Дата | ||||||||||||
Разраб. |
Лит |
Лист |
Листов | |||||||||||||
Проверил |
2 |
3 | ||||||||||||||
Утвердил | ||||||||||||||||
зона |
Поз.обознач. |
Наименование |
Кол-во. |
Примечание | ||||||||||||
HL1 |
АЛС331А |
1 | ||||||||||||||
BI1 |
АЛ147А |
1 | ||||||||||||||
VS1 |
КУ202Н |
1 | ||||||||||||||
Транзисторы | ||||||||||||||||
VT1-3 |
КТ3102А |
3 | ||||||||||||||
VT4 |
КТ3107И |
1 | ||||||||||||||
VT5 |
МП37А |
1 | ||||||||||||||
VT6-10 |
КТ3102А |
5 | ||||||||||||||
Трансформаторы | ||||||||||||||||
Т1 |
ТС-20 |
1 | ||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ документа |
Подп. |
Дата | ||||||||||||
Разраб. |
Лит |
Лист |
Листов | |||||||||||||
Проверил |
3 |
3 | ||||||||||||||
Утвердил | ||||||||||||||||
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем