Разработка конструкции антенного модуля СВЧ
Конфигурация резисторов определяется их функциональными назначениями, номинальным значением, удельным сопротивлением резистивной ленки, точностью, предъявляемой к их изготовлению, технологическим процессом их изготовления, площадью на плате, отъеденной под резистор.
Основным параметром пленочных резисторов является коэффициент формы [4]:
(5.3)
где - длина резистора, мм;
- ширина резистора, мм;
- номинальное значение сопротивления резисторов, Ом;
- удельное сопротивление резисторной пленки, Ом/.
Согласно (5.3) = 1, значит результаты имеют форму квадрата и .
Расчетное значение длины резистора должен быть не меньше наибольшего значения одной из трех величин [4]:
(5,4)
где - минимальная длина резистора, определяемая возможностями технологического процесса (тонкопленочной технологии = 0,1мм);
- длина резистора, определяемая точностью изготовления, мм;
- минимальная длина резистора, при которой обеспечивается заданная мощность рассеяния, мм;
Длина резистора, определяемая точностью изготовления , рассчитывается по формуле [4]:
(5.5)
где , - точность формирования геометрических размеров резистора, мм;
- коэффициент формы;
- погрешность коэффициента формы.
Для определения минимальной длины регистра, при которой обеспечивается заданная мощность рассеивания, используют формулу:
(5.6)
где - заданная мощность рассеивания, Вт;
- удельная мощность, которую может рассеять единица площади материала, Вт/мм.
За длину резистора принимается ближайшее целое значение , краткое шагу координатной сетки, принятому для чертежа топологии.
Расчетное значение ширены резистора определяется по формуле [4]:
(5.7)
За ширину результата принимается ближайшее к целое значение, краткое шагу координатной сетке, принятому для чертежа топологии.
При =1 достаточно провести расчет лишь для длины резистора, так как .
Результаты расчета резисторов сведены в таблицу 5.3.
Таблица 5.3 – конструктивный расчет резисторов
Номер позиции |
Номинальное значение, Ом |
Ом/ |
|
Вт |
мм |
мм |
|
100 100 |
100 100 |
1 1 |
0,1 0,4 |
1 2 |
1 2 |
5.2 Расчет геометрических размеров элементов
Структура проводников полосковых схем практически всегда многослойна, что позволяет добиться требуемой аргезии проводника к диэлектрическому основанию, достаточно малых потерь к высокой устойчивости к коррозии. Поэтому первый (от диэлектрического основания) слой проводника – высокоомный материал с хорошими оргезионными свойствами, второй слой – основной проводник – материал с высокой проводимостью, третий обеспечивает защиту от воздействия внешней среды и лужения всего проводника, либо его части, для проведения монтажных операций. В таблице 5.4 приведены характеристики материалов, используемые при изготовлении микро полосковых схем.
Сопротивление неэкранированной микро полосковой линии от трех параметров:
- - относительная диэлектрическая проницаемость материала на подложке;
- - толщина диэлектрической подложки, мм;
- - ширина проводника микро полосковой линии, мм;
Волновое сопротивление неэкранированной микро полосковой линии определяется выражением [5]:
, Ом (5.8)
Таблица 5.4 – Характеристики материалов
Металл |
Относительное удельное сопротивление, |
,Ом* *м* |
См/м |
Поверхностное сопротивление пленки |
КТ-ЛР
|
ТКС,
|
Температура плавления, |
Золото Никель Олово Хром Медь |
0,941 4,01 6,62 7,6 1,0 |
0,0162 0,069 0,114 0,13 0,0172 |
6,6 1,28 0,90 0,77 5,9 |
2,7 13,0 - - 2,8 |
18,6 13,2 23,0 6,2 16,6 |
- 0,0047 0,0042 - 0,0039 |
961 1453 232 1900 1083 |
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем