Разработка конструкции антенного модуля СВЧ

Исходные данные для расчета:

мм;

мм;

мм;

;

Результат расчета радиус кольца равен 5,9мм.

5.3 Разработка патологии п

латы

Исходными данными для разработки топологического чертежа является:

- схема электрическая принципиальная ГКИЮ 433375,001Э3;

- перечень элементов ГКИЮ 433375,001Э3;

- конструктивные требования и ограничения, связанные с проектированием и размещением элементов и компонентов на подложке;

- геометрические размеры пленочных и начесных элементов;

- технологические ограничения, обусловленные процессом изготовления.

Топология отражает порядок соединения узлов цепи, предусмотренный электрической схемой, а также определяет геометрические размеры. конфигурацию элементов и их взаимное расположение га подложке.

Размешать пленочные элементы необходимо в соответствии с коммутационной схемой. При составлении коммутационной схемы уменьшают число пересечений проводников, сокращают их длину, определяют расположение пленочных элементов, навесных элементов, предусматривают контактные площади для монтажа. Используя коммутационную схему, разрабатывают эскиз топологического чертежа, совмещенных для всех слов. При вычерчивании элементов следует рационально использовать площадь подложки, что достигается соответствующим выбором конфигурации пленочных элементов и проводников.

Эскиз топологии выполняют в нескольких вариантах, так как при проработки первого варианта топологии не удается получить приемлемую первого варианта топологии не удается получить приемлемую конфигурацию слоев. Работа над следующим вариантом сводится к устранению недостатков первого для того, чтобы чертеж отвечал всем технологическим и конструктивным требованиям и ограничениям, оговоренным в ОСТ 4ГО.010.224 – 82.

Разработанная типология:

- соответствует схеме электрической принципиальной ГКИЮ 433375,001Э3;

- удовлетворяет конструктивным и технологическим требованиям, оговоренным в ОСТ 4ГО.010.224 – 82;

- обеспечивать возможность проверки электрических параметров элементов схемы;

- составлена таким образом, чтобы для изготовления схемы требовался наиболее простой и дешевый технологический процесс.

5.4 Выбор методов контактирования

Выбор элементов можно соединить пайкой микросваркой.

С помощью пайки получают ремонтопригодные соединения, то есть такие, которые можно демонстрировать и перепаять без повреждения коммутированных элементов.

При микросварке контактной, соединения формируются в твердой фазе за счет сжатия поверхностей и нагрева. Это обусловлено возможностью управления параметрами процесса, его механизации и автоматизации, высоким качеством и воспроизводимостью соединения. Формы и размеры сварной точки строго предопределены рабочей частью инструмента и площадь получаемого минимальна. В качестве перемычек используют проволоку круглого сечения из алюминий магниевого сплава, который обладает лучшей прочностью по отношению к другим материалом. Применение проволоки круглого сечения позволяет механизировать её подачу в зону сварки путем сматывания с катушки.

Качество и надежность получаемых соединений зависит не только от правильно выбранного сочетания материалов, но и от качества подготовки поверхности. Различные загрязнения и химические пленки на поверхности ухудшают контакт и взаимную диффузию материалов.

6. Выбор технологии и оборудования

6.1 Выбор технологического процесса и оборудования для изготовления платы

Согласно технологическому заданию микрополосковые платы изготовляются методом тонкопленочной технологии. Процесс изготовления плат приведен на рисунке 6.1.

Перед нанесением пленок на подложку ее нужно подготовить, т.е выполнить подготовительные операции, которые включают в себя: резку подложки, очистку и подготовку поверхностей подложки.

Резку подложек проводят в начале технологического цикла. Применить мультиплированный фотошаблон с предусмотренными зазорами между схемами на ширину ряда.

Резку подложек проводят в начале технологического цикла. Применить мультиплексированный фотошаблон с предусмотренными зазорами между схемами на ширину ряда.

Отмывку подложек проводят кислотно – щелочной обработкой. При очистке должны быть распущены отсортированы связи между подложкой и загрязненными без нарушения поверхности самой подложки. Перед нанесением пленки должны быть удалены все продукты реакции, ионы, молекулы воды. Очищенные подложки хранить в эксикаторах или вакуумных шкафах, но не более 24 часов перед нанесением пленок.

Для вакуумного напыления используется установка УВН – 2И – 2 (ГОСТ 5,70 - 68), которая предназначена для серийного изготовления пленочных элементов в результате вакуумного цикла. Материалы используются м помощью резистивных испарений. Подколпачное устройство доработано с целью использования единого узла совмещения.

Рисунок 6.1 – Тех. процесс изготовления платы

Технические характеристики установки приведены таблице 6.1 [7]:

Таблица 6.1 – технические характеристики установки УВН – 2ЛЕ – 2 (ГОСТ 5.70 - 68)

Эффективность процесса напыления определяется малым временим осаждением и равномерностью толщины пленки по поверхности подложки. В связи с этим при организации и отладке процесса должны быть обеспеченны: интенсивное испарение вещества из испарителя; прямолинейное движение молекул вещества преимущественно на подложку и достаточной равномерности облучения подложки, интенсивный и равномерный рост пленки по поверхности подложки.

Проще, чем приступить к фотолитографическим процессам, необходимо изготовить фотооригинал и фотошаблон. В нашем случае изготовить позитивный металлизированный шаблон. Для этого применить оптическое стекло (к - 8) с металлизированным рисунком из хрома. Преимущество такого фотошаблона: высокая износостойкость – механическая и термическая стабильность; влагостойкость; резко ограниченные края изображения. Фотошаблон должен иметь изображение базовых элементов и репейных знаков.

 Скачать реферат