Электромагнитные и тепловые методы контроля РЭСИ

С помощью методов ТК можно проводить анализ теплового режима элект­ронных схем, контроль измерения параметров цепей, качества элементов, авто­матический поиск неисправностей в РЭС.

Терминология ТК определена ГОСТ 18353-79, а классификация методов ус­тановлена ГОСТ 23483-79. Для ТК применяют пассивные и активные методы.

При пассивном ТК объекты испытаний не подвергают воздействию от вн

еш­него источника, и в местах потенциальных дефектов механических соединений токоведущих элементов путем опрессовки, скрутки, пайки и сварки возникает дополнительное электрическое сопротивление, которое обуславливает нагрев этого участка в соответствии с законом Джоуля - Ленца (рис. 1,а). Пассив­ным способом ТК объекта испытаний, характеризующимся аномальным выде­лением теплоты в месте потенциального дефекта, контролируют сборочные еди­ницы и компоненты радиоэлектронных средств (рис. 1,б).

При активном контроле объект подвергают воздействию от внешнего источ­ника энергии (1) (рис. 1, в). До проведения контроля температура изделия во всех точках одинакова (чаще всего равна температуре окружающей среды). При нагреве изделия, тепловой поток распространяется в глубь изделия, в месте га­зового дефекта испытывает дополнительное тепловое сопротивление. В резуль­тате этого наблюдается локальное повышение температуры на нагреваемой по­верхности, а на противоположной поверхности изделия, в силу закона сохране­ния энергии, знак температурного сигнала инвертируется.

Рисунок 1 – Пассивные (а,б) и активные (в) ТК.

1 - ИТН; 2 - изделие; 3 - дефект.

Пассивный контроль в общем случае предназначен:

- для контроля теплового режима объектов контроля;

- для обнаружения отклонений от заданной формы и геометрических разме­ ров объектов контроля.

Активный контроль в общем случае предназначен:

- для обнаружения дефектов типа нарушения сплошности в объектах конт­ роля (трещин, пористости, расслоений, инородных включений);

- для обнаружения изменений в структуре и физико-химических свойствах объектов контроля (неоднородность, теплопроводность структуры, теплоемкость и коэффициент излучения).

Схемы основных методов теплового контроля приведены в таблице 2.

Основные методы пассивного теплового контроля и области их применения приведены в таблице 3.

Основные методы активного теплового контроля и области их применения приведены в таблице 4.

Таблица 2

Основные методы ТК.

Метод контроля

Схема контроля

 

Активного Пассивного

Односторонний

Двухсторонний

Комбинированный

 

Синхронный

 

Несинхронный

 

Обозначения: 1 – источникнагрева; 2 – объект контроля; 3 – термочувствительный элемент.

Дефекты вызывают значительные перегревы отдельных областей ИМС или всего изделия в целом, что приводит к последующему его отказу. Поэтому контроль реальной картины теплового поля в изделии необходим для успеш­ного конструирования высоконадежных изделий. По времени действия разли­чают непрерывные и импульсные ИТН. Температурные поля регистрируют с помощью контактных (индикаторы на жидких кристаллах, термолюминофо­ры, термометры, термосопротивления и т. д.) и бесконтактных дистанционных ИК( радиометры, тепловизоры).

Критерии дефектности (КД), т.е. измеряемые или рассчитываемые физиче­ские величины, по которым оценивают качество изделий, подразделяют на амплитудные и временные (табл.3.14). В течении долгого времени на практике использовали абсолютную температуру изделия, разность температур дефект­ного и бездефектного участка или эталонного и контролируемого изделий, названную температурным перепадом AT, а также температурный контраст А=ДТ/Т. Ввиду того, что указанные амплитудные критерии существенно зави­сят от специфических для ТК помех, в последние годы интенсивно разраба­тывают временные критерии, которые представляют собой некоторое харак­терное время процесса теплопередачи.

Таблица 3 - Методы пассивного ТК.

Название метода  

Область применения  

Контролируемые параметры  

Факторы, ограничивающие область применения  

Чувст­витель­ность  

Диапазоны контролируе­мых параметров  

Быс­тродей­ствие, с  

Отно-си-тель-ная пог­реш­ность, %  

Примечание  

Контакт­ные

Контроль температуры твердых, жидких

Температура

Температура объекта, превышающая

0,001 С

От - 270 до 1500 °С

0,1 - 1,0

0,1

Для термоэлектри­ческих датчиков

 

и газообразных сред, размеров тепловыделяю­щих элементов объектов, дефектов нарушения сплошности

Геометрические размеры и форма объектов

допустимую температуру нагрева датчика; сложная конфигурация изделия; плохой контакт датчика с объектом

0,02 °С

От-40 до 400 °С

0,1-1,0

1,0 - 5,0

Для термоиндикаторов

   

Величина и форма дефектов

 

0,01 мм

0,1 – 500,0 мм

0,1-1,0

0,1-1,0

 
       

0,01 мм

От 0,1 до 100,0 мм и более

0,1-1,0

   

Собст­венного

Контроль температуры,

Коэффициент излучения;

Нестабильность коэффициента

0,01 °С

-260 °С - 4000 °С

10-6

1,0 – 5,0

Для фотоэлектрических датчиков

излуче­ния

измерение излучательной способности, размерный контроль тепловыделяю­щих элементов, контроль

лучистый поток

излучения во времени и пространстве и наличие подсветки объекта посторонними источниками

   

10-6  

5,0

Для тепловых датчиков

Страница:  1  2  3  4 


Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2024 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы