Передатчик импульсный СВЧ диапазона

Определим параметры нестабильности частоты. Для этого зададимся коэффициентом подавления отражений от неподвижных целей, лежащим в пределах от -20 до -30 дБ (0.1 . 0.032):

94 height=29 src="images/referats/6932/image073.png">

Кратковременная нестабильность частоты за период следования имп-в:

Нестабильность частоты за время импульса:

Модуляторная лампа была выбрана на этапе предварительного расчета - это лампа ГМИ-2Б. Динамическое сопротивление модуляторной лампы в граничном режиме Ом.

Найдем изменение частоты, от импульса к импульсу вызывается дополнительно из-за непостоянства напряжения сети питания.

Минимальное напряжение на аноде модуляторной лампы в критическом режиме (ориентировочно ek = (0.05 . 0.1)U0), примем его равным В.

Пульсации выпрямленного напряжения из-за непостоянства напряжения сети питания:

Так как для питания магнетрона обычно используют стабилизатор напряжения, то, принимая коэффициент стабильности , находим нестабильность частоты:

Проверяем неравенство f < f / 4.

Гц.

Неравенство выполняется, поэтому не нужно применять дополнительных средств для стабильности. Определяем общее электронное смещение частоты:

Нестабильность частоты, обусловленная изменением параметров нагрузки при включенном циркуляторе с общим затуханием дБ, н = (0.2 . 0.4):

Проверяем неравенство < f / 4.

Неравенство fн < f / 4 выполняется, поэтому ферритовый вентиль с затуханием можно не включать.

Суммарная нестабильность частоты

3.2 Расчет импульсного модулятора

Требуется рассчитать импульсный модулятор для магнетронного генератора по следующим исходным данным:

По результатам предварительного расчета для автогенератора СВЧ был выбран магнетрон типа 2J21. Параметры магнетрона сведены в таблицу 3.

Таблица 3.

Коммутатором в схеме импульсного модулятора с неполным разрядом накопителя является электронная лампа, а накопителем - конденсатор. Наиболее широко применяется схема модулятора с шунтирующей нагрузку индуктивностью, что уменьшает длительность спада импульса. Эта схема приведена на рисунке 3.

Рисунок 3.

На рисунке 3:

R1 - зарядное сопротивление,

R2 - сопротивление в цепи питания сетки,

СЗ - емкость накопителя,

С2 и С4 - блокировочные конденсаторы,

C1 - разделительный.

По этим данным выбираем тип модуляторной лампы ГМИ-2Б из таблицы. (С целью повышения надежности целесообразно брать запас по току и напряжению не менее 15% от рассчитанных величин).

Исходные данные для расчета импульсного модулятора с неполным разрядом накопителя:

Напряжение на выходе модулятора U, равное анодному напряжению магнетрона Еа.

Величины, характеризующие форму импульса, задаем из условий

ф = (0.1 .0.2); с = (0.2 .0.3); = u / u = (0.03 .0.05), где ф - длительность фронта импульса; с - длительность спада импульса; U - изменение напряжения на плоской части импульса.

3.2.1. Расчет разрядной цепи накопителя

Расчет начинаем с выбора типа модуляторной лампы и режима работы.

Определяем напряжение на аноде лампы:

Для выбранной лампы определяем режим работы. (Чаще всего положение рабочей точки рекомендуется брать в области граничного или слегка перенапряженного режима). Именно для такого режима приведены данные в таблице 4.

Таблица 4.

Выписываем данные режима с учетом, что eа_макс = Eа + eа_мин

Статическое внутреннее сопротивление лампы.

Динамическое внутреннее сопротивление модуляторной лампы.

Напряжение питания управляющей сетки VL1.

3.2.2 Расчет зарядной цепи накопителя

Относительное снижение напряжения на нагрузке за счет шунтирующего действия инд-ти L = 0.5(U/U) = 0.5

Напряжение возбуждения магнетрона, определяемое из соотношения Eab = Eа (1 - rг / Rг) = (0.8 . 0.9) Eа

Паразитная емкость модулятора, включающая выходную емкость модуляторной лампы, емкость монтажа, входную емкость магнетрона и составляющая Cп = (100 .150) пФ.

 Скачать реферат