Передатчик импульсный СВЧ диапазона

3.2.3 Расчет цепи шунтирующего диода

Из таблицы 4 проводим выбор шунтирующего диода VL2 по следующим показателям:

обратное напряжение диода

ток эмиссии катода ,

внутреннее сопротивление диода ,

мощность рассеивания на аноде диода Paq = PL1.

Таблица 5.

По вычисленным показателям выбираем вакуумный диод типа ВИ2-30/25.

Выбираем источник питания, исходя из следующих значений

3.3 Расчет блокинг-генератора

В качестве подмодулятора возьмём блокинг-генератор (рисунок 4).

Сформулируем требования к блокинг-генератору на основе данных выбранной лампы-тиратрона - лампы ГМИ-2Б

Относительное изменение периода колебаний при изменении температуры от -60 до 60oC.

Руководствуясь требованиями к току нагрузки и длительности фронта выбираем высоковольтный кремниевый транзистор КТ 958 А.

Паспортные данные транзистора КТ 958 А:

Принимаем Eк примерно в 1.5 .2 раза меньше максимально допуст. напряжения коллектор-эмиттер при закрытом транзисторе.

Пересчитаем сопротивление и ёмкость нагрузки в первичную обмотку

Оптимальный коэффициент трансформации цепи обратной связи:

Сопротивление стабилизирующего резистора:

Оценим величину длительности фронта выходных импульсов:

Оптимальный коэффициент трансформации цепи обратной связи:

Определим индуктивность первичной обмотки из двух условий

Так как величина паразитной емкости получилось относительно маленькой величины, то она не будет влиять на колебательный режим.

Вычисляем сопротевление резистора R:

 Скачать реферат