Изучение работы полевого транзистора

Если же на затвор подать положительное напряжение, то под действием поля, созданного этим напряжением, из областей стока и истока, а также из кристалла в канал будут приходить электроны; проводимость канала при этом увеличивается и ток стока возрастает. Этот режим называют режимом обогащения.

МДП-транзистор с индуцированным каналом показан на рис. 4. Из сравнения (рис. 3 и 4) видно, что это

т транзистор отличается от МДП-транзистора со встроенным каналом отсутствием n-слоя под затвором. Если напряжение на затворе отсутствует , то в таком МДП-транзисторе отсутствует и канал, а сам транзистор представляет собой два последовательно включенных p-n-перехода. При любой полярности напряжения между истоком и стокомодин из этих p-n-переходов оказывается включенным в обратном направлении и ток в цепи исток-сток практически равен нулю.

Основными достоинствами полевых транзисторов являются: высокое входное сопротивление, большой динамический диапазон (верхняя граница по частоте достигает 80 МГц), высокая стабильность и малая чувствительность к радиационному излучению.

Выполнение работы

Для получения характеристик полевого транзистора типа КП302 схему (рис. 5) подключить к источнику постоянного тока (12 В). Стоковую характеристику (зависимость тока стока от напряжения между истоком и стоком) получают при фиксированном напряжении на затворе. С увеличением напряжения ток стока сначала растет, а затем это нарастание замедляется. Явление, напоминающее насыщение, объясняется тем, что с увеличением напряжения на стоке одновременно повышается обратное напряжение на p-n-переходе и канал сужается (его сопротивление возрастает). Напряжение на затворе устанавливается с помощью ключа К.

Порядок проведения измерений и обработки результатов

1) Подключить к источнику питания ВС 4-12 схему, представленную на рис. 5.

2) Переключатель выходного напряжения источника питания ВС 4-12 установить в положение «12 В».

3) Подать на затвор с помощью ключа К напряжение 1 – 1,5 В. Увеличивая напряжение от 0 до 12 В, при помощи вращения ручки потенциометра R, снять стоковую характеристику транзистора. Для этого необходимо изменять напряжение на стоке ступенчато с шагом в 1 В и при этом записывать в таблицу соответствующие каждому шагу значения тока по показаниям микроамперметра.

4) Снять стоковую характеристику транзистора при напряжении на затворе =0 В (т.е. повторить измерения пункта 3, но при разомкнутом ключе К).

5) Занести все измерения в таблицу. Построить стоковые характеристики, т.е. зависимость между током и напряжением при двух различных напряжениях на затворе.

Таблица

Контрольные вопросы

1. Что общего у полевого транзистора с биполярным транзистором, электронной лампой?

2. Опишите устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

3. Чем определяется толщина канала в полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом.

4. Объясните причину насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора.

5. Как зависит вид стоковой характеристики от напряжения на затворе?

6. В чем отличие полевых транзисторов с изолированным затвором? Что физически означает изолированный затвор?

7. Опишите устройство и работу полевого транзистора с встроенным каналом.

8. Опишите устройство и работу транзистора с индуцированным каналом.

9. Как возникает инверсия типа проводимости?

 Скачать реферат