Программатор микроконтроллеров и микросхем памяти
Рисунок 9 УГОК580BB55А
Назначение выводов: 1, 2, 3, 4 – входы/выходы канала А; 5 – чтение информации; 6 – выбор микросхемы; 7 – общий; 8, 9 – адрес (младшие разряды); 10…17 – входы/выходы канала С; 18, 19,20, 21, 22, 23, 24, 25 – входы/выходы канала В; 26 – напряжение питания; 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33,
34 – входы/выходы канала данных; 35 – установка и исходное состояние; 36 – запись информации; 37, 38, 39, 40 – входы/выходы канала А.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания 5В ± 5%;
Выходное напряжение высокого уровня по каналам А, В, С, D: ≤ 2,4 В;
Выходное напряжение низкого уровня по каналам А, В, С, D: ≤ 0,45 В;
Ток потребления: ≤ 120 мА;
Выходной ток к состоянии «выключено»: ≤ 10мА;
Ток утечки по управляющим входам: ≤ |-10| мкА
Входной ток высокого уровня по каналам В и С: -1…-4 мА;
Время установления данных D7…D0 относительно сигнала RD: ≤ 250 нс;
Длительность сигнала RD: ≥ 300 нс;
Длительность сигнала WR: ≥ 400 нс;
Время установления адреса А1, А0 и сигнала CS относительно сигнала WR: 0 нс;
Время сохранения канала ВА, ВВ относительно сигнала WR: ≤ 350 нс;
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Максимальное напряжение питания: 5,25 В;
Максимальное напряжение на вводах высокого уровня: 5,25 В;
Максимальное напряжение на выводах низкого уровня: 0,8 В;
Максимальный выходной ток высокого уровня: |-0,2| мА;
Максимальный выходной ток низкого уровня: 1,7 мА;
Максимальная ёмкость нагрузки: 190 пФ;
Температура окружающей среды: -10…+70 ⁰С.
3.1.2 Транзисторы.
Транзи́стор - трёхэлектродный полупроводниковый электронный прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.
Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем памяти, процессора, логики и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 32 нм. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 см²) размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе. Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров. Каждую секунду сегодня в мире изготавливается полмиллиарда МОП - транзисторов.
Характеристики выбранных биполярных транзисторов представлены в таблице 8.
Таблица 8. Характеристики биполярных транзисторов
Тип |
B1-B2/Iк мсим/мА |
Fт, МГц |
Iко, мкА |
Uкб, В |
Uкэ/R, В/кОм |
Uэб, В |
Iкм/Iкн мА/мА |
Pк мВт |
Канал | |||
КТ361Г |
50-350/1 |
250 |
1 |
35 |
35/10 |
4 |
50/ |
150 |
P-N-P | |||
КТ805АМ |
15- 35/2 |
20 |
160/10 |
5 |
5/8 |
2 |
/30 |
3.3 |
NPN | |||
КТ814Б |
40 /0.15 |
3 |
50/100 |
5 |
1.5/3 |
0.5 |
1/10 |
10 |
PNP | |||
КТ972А |
750 /1 |
200 |
60/1к |
5 |
4/ |
/8 |
15.6 |
NPN | ||||
КТ973А |
750 /1 |
200 |
60/1к |
5 |
4/ |
/8 |
15.6 |
PNP | ||||
Условные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов:
B1-B2/Iк статический коэффициент передачи тока
Fт предельная частота коэффициента передачи тока
Iко обратный ток коллектора
Uкб максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
Uэб максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
Uкэ/R максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером ®
Iбм предельно допустимый постоянный ток базы
Iкм/Iкнас предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкнас)или в импульсе
Pк максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе
Pк/Pт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем