Проектирование гибридных интегральных микросхем и расчет элементов узлов детектора СВЧ-сигналов

Таблица

Вывод: в данных расчетах были приведены расчеты для трех групп резисторов, они должны наноситься по макс. габаритным параметрам для последующей подгонки. Если номиналы резисторов отличаются в одну сторону, то следует сначала провести отжег ГИС.

Расчет конденсаторов

Рабочее напряжение 12В, относительная погрешность изготовления конденсаторов 10%. Расчет конденсаторов на точность не проводят. Если точность изготовления конденсатора задана выше 15%, необходимо предусмотреть участок подгонки на верхней обкладке.

Выбираем диэлектрическую пасту ПД-1 для C2

Удельная ёмкость: С0=160пФ/см2

Выбираем диэлектрическую пасту ПК1000–30 для C6,C15

Удельная ёмкость: С0=3700пФ/см2

Расчет С2

1) Определяем площадь верхней обкладки конденсатора.

2) Рассчитываем геометрические размеры верхней обкладки конденсатора. Для обкладок квадратной формы.

3) Вычисляем геометрические размеры нижней обкладки конденсатора.

, где р=0.3 – перекрытие между нижней и верхней обкладками (по таблице 1.5)

4) Определяем геометрические размеры диэлектрика.

где f=0.2 – перекрытие между нижней обкладкой и диэлектриком (по таблице 1.5).

5) Вычисляем площадь, занимаемую конденсатором на плате.

Расчет С15

1) Определяем площадь верхней обкладки конденсатора.

2) Рассчитываем геометрические размеры верхней обкладки конденсатора. Для обкладок квадратной формы.

3) Вычисляем геометрические размеры нижней обкладки конденсатора.

, где р=0.3 – перекрытие между нижней и верхней обкладками (по таблице 1.5)

4) Определяем геометрические размеры диэлектрика.

где f=0.2 – перекрытие между нижней обкладкой и диэлектриком (по таблице 1.5).

5) Вычисляем площадь, занимаемую конденсатором на плате.

Расчет С6

1) Определяем площадь верхней обкладки конденсатора.

2) Рассчитываем геометрические размеры верхней обкладки конденсатора. Для обкладок квадратной формы.

3) Вычисляем геометрические размеры нижней обкладки конденсатора.

, где р=0.3 – перекрытие между нижней и верхней обкладками (по таблице 1.5)

4) Определяем геометрические размеры диэлектрика.

где f=0.2 – перекрытие между нижней обкладкой и диэлектриком (по таблице 1.5).

5) Вычисляем площадь, занимаемую конденсатором на плате.

Вывод: в данных расчетах были приведены расчеты для двух групп конденсаторов, они должны наноситься по макс. габаритным параметрам для последующей подгонки.

Выбор корпуса

Корпус предназначен для защиты микросхемы от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов (температуры, влажности, солнечной радиации, пыли, агрессивных химических и биологических сред и т.д.)

Конструкция корпуса должна удовлетворять следующим требованиям: надежно защищать элементы и соединения микросхемы от воздействий окружающей среды и, кроме того, обеспечивать чистоту и стабильность характеристик материалов, находящихся в непосредственном соприкосновении с кристаллом полупроводниковой микросхемы или платой гибридной микросхемы, обеспечивать удобство и надёжность монтажа и сборки микросхемы в корпус; отводить от неё тепло; обеспечивать электрическую изоляцию между токопроводящими элементами микросхемы и корпусом; обладать коррозийной и радиационной стойкостью; обеспечивать надежное крепление, удобство монтажа и сборки корпусов в составе конструкции ячеек и блоков микроэлектронной аппаратуры, быть простой и дешёвой в изготовлении, обладать высокой надёжностью.

Так как наша микросхема будет использоваться в военной промышленности, то целесообразней выбрать????????? корпус. Этот тип корпуса способен обеспечить работу микросхемы в широком диапазоне температур, а так же способен защитить от различного рода физических и химических воздействий. Корпус будет заполнен инертным газом, для предотвращения коррозии. Корпус будет иметь прямоугольную форму, выводы будут располагаться по двум сторонам корпуса.

 Скачать реферат