Мониторинг атмосферного воздуха на территории влияния завода им. Малышева

Данные комплексы успешно применяется как на горнодобывающих предприятиях Украины и стран СНГ, так и на предприятиях дальнего зарубежья. Комплексы БШК-2ДМ поставлялись в Китай, Чехию.

Когенерационные установки (электростанции), разработанные ГП "Завод имени В.А. Малышева" на базе газового двигателя 11ГД100М агрегатной мощностью 1700 кВт (электрическая мощность – 1000 кВт, тепловая

мощность – 700 кВт), используют газообразное топливо (природный газ, биогаз, попутный газ, шахтный газ). Данные электростанции способных вырабатывать кроме электроэнергии тепловую энергию в виде пара и (или) горячей воды, холод, производить углекислый газ, что еще больше повышает рентабельность их эксплуатации. Их рационально и эффективно использовать для нужд энергоснабжения инфраструктуры промышленных и коммунальных предприятий, отопления и освещения поселков газовиков.

Предприятие располагает мощным многопрофильным заготовительным производством. Оно представлено следующими основными направлениями:

-Литейное производство: чугунное, стальное. цветное

-Кузнечнопрессовое производство.

-Механическое производство: радиаторы, трубопроводы, штуцера, пружины, валы, втулки, оси, шестерни, болты, гайки, резинотехнические изделия, инструмент.

Принципы технологии

На вход технологии поступают пластины, называемыми подложками. Состав материала подложек, кристаллическая структура (вплоть до межатомных расстояний в подложках для современных процессоров) и кристаллографическая ориентация строго контролируются. В ходе технологического процесса в приповерхностном слое полупроводникового материала, являющегося подложкой или нанесённого на подложку, создают области с различным типом или величиной проводимости, определяемой в конечном счёте различной концентрацией донорных и акцепторных примесей, а также материалом слоя. Поверх слоя полупроводникового материала, с использованием в нужных местах прослоек диэлектрического материала, наносятся слои проводящего материала, образующего контактные площадки и необходимые соединения между областями. Области и слои проводника, полупроводника и диэлектрика в совокупности образуют структуру полупроводникового прибора или интегральной микросхемы.

Особенность планарной технологии состоит в том, чтобы после завершения каждой технологической операции восстанавливается плоская (планарная) форма поверхности пластины, что позволяет создавать достаточно сложную структуру, используя конечный набор технологических операций.

Планарная технология обеспечивает возможность одновременного изготовления в едином технологическом процессе огромного числа дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем на одной подложке, что позволяет существенно снизить их стоимость. Также в случае изготовления на одной пластине идентичных приборов параметры всех приборов оказываются близкими. Ограничителем является только площадь подложки, поэтому диаметр подложек по мере развития технологий производства подложек стремятся увеличивать.

Для контроля качества выполнения промежуточных операций на подложке, как правило, выделяют несколько малых областей (обычно в центре и на периферии), на которых в ходе штатного технологического процесса формируются тестовые проводящие дорожки и элементарные приборы (конденсаторы, диоды, транзисторы и т.п.). В этих же областях формируют контактные площадки относительно большой площади для тестирования годности пластин перед скрабированием (разделением на отдельные приборы). Для совмещения изображений при фотолитографии также в специально выделенной области формируются знаки совмещения, подобные тем, какие можно встретить на многоцветной печатной продукции.

Основные технологические операции (литография)

Основные технологические операции, используемые в планарной технологии, основаны на процессе литографии: используются электронная литография, ионная литография, могущие быть сканирующми и проекционными; фотолитографии могущая быть оптической (стандартная λ=310-450нм или в глубоком ультрафиолете λ=200-300нм) и рентгеновской(λ=0,1-10нм), которые, в свою очередь, могут быть контактными, бесконтактными, на микрозазоре и проекционными. Также может быть ограниченно применён метод радиационно-стимулированной диффузии.

Технологическая цепочка состоит из серии циклов (до нескольких десятков), включающих в себя следующие основные операции (в порядке следования):

подготовка подложки: применяется механическая и химическая полировка для получения плоской поверхности без механических дефектов (выполняется 1 раз, при поступлении подложки в техпроцесс);

формирование на поверхности подложки слоя необходимого материала с заданной структурой: эпитаксиальное наращивание, осаждение диэлектрических или металлических плёнок (операция выполняется не в каждом цикле)(этому процессу может предшествовать оксидирование, фотолитография и диффузия под захоронёный n+ слой, являющийся необходимым элементом при создании схемы на биполярных транзисторах с коллекторной изоляцией, с комбинированной изоляцией(изопланар-1,2; полипланар) и не необходимым, но желательным в других структурах биполярных транзисторов (для снижения сопротивления коллектора и повышения быстродействия);

создание на поверхности подложки защитного слоя: в случае кремниевых подложек для этого используется окисление поверхности, в случае других подложек может использовать эпитаксиальное наращивание слоя диоксида или нитрида кремния либо другого материала с низким коэффициентом диффузии легирующих примесей Толщина слоя подбирается так, чтобы за время, необходимое для создания легированной области необходимой конфигурации в подложке, легирующий элемент не достиг подложки сквозь защитный слой;

нанесение слоя фоторезиста, обладающего устойчивостью к используемым травителям;

совмещение изображений по знакам совмещения и экспонирование рисунка окон на слой фоторезиста;

стравливание исключительно засвеченных (либо незасвеченных -- зависит от фоторезиста) участков слоя фоторезиста;

стравливание защитного слоя с подложки на участках, не закрытых фоторезистом;

удаление остатков слоя фоторезиста;

возможная операция: внедрение легирующих примесей нередко проводят в двухстадийном процессе, разделяя фазы загонки примеси в приповерхностную область и разгонки загнанной примеси по требуемому объёму; загонка производится путём локальной (с поверхности или из газовой фазы) диффузии или ионной имплантации легирующих примесей через окна в защитном слое в поверхность подложки; режимы диффузии (имплантации) подбираются так, чтобы чтобы за время этой и всех последующих технологических операций размер легированной области достиг требуемых размеров по площади и глубине, а нарушенная радиацией при ионном легировании кристаллическая решётка восстановилась;

возможная операция: плазменное или химическое травление поверхности подложки для удаления излишков слоя ранее осаждённого материала.

плазменное или химическое травление поверхности подложки для удаления защитного слоя (выполняется не в каждом цикле).

 Скачать реферат