Квантовый выход светочувствительных структур полупроводник-металл-диэлектрик

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ К.П.Д. СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ

2. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

3. РЕФЕРАТ ОПИСАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

4. СОВРЕМЕННЫЕ СВЕТОДИОДЫ

5. КАК УСТРОЕН И РАБОТАЕТ СВЕТОДИОД

6. ПОЛУЧЕНИЕ ГОЛУБЫХ СВЕТОДИОДОВ

7. ПОЛУЧЕНИЕ БЕЛОГО СВЕТА С ПОМОЩЬЮ СВЕТОДИОДОВ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Введение >Материал – один из видов вещества, идущего на изготовление изделий. Одно из требований к нему – стабильность, сохранение внутреннего строения в процессе длительной эксплуатации, что присуще только твердому агрегатному состоянию. При переработке материала в изделия (резание, диффузия, окисление, нанесение покрытий и т.д.), когда воздействуют, в основном, на поверхностные слои, материалы не должны изменять внутреннего строения. Однако стабильность относительна, изменчивость же – абсолютна. Последняя проявляется как зависимость от внешних воздействий, основные из которых: изменение температуры – тепловое движение атомов и частиц; движение электронов, ионов и целых групп атомов под действием полей; диффузия – все ее виды; структурные дефекты и неоднородность самого материала. Отсюда и условность терминов и классификаций. Даже общепринятое разделение материалов на проводники, полупроводники и диэлектрики весьма относительно. Так при очень низких температурах разница между полупроводниками и диэлектриками стирается, а при повышенных температурах полупроводники становятся хорошими проводниками. Кроме того, есть вещества, занимающие промежуточное положение между этими типами материалов, что предоставляет широкий выбор для инженерного творчества.

Способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл

Предлагаемый способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл может найти практическое применение в фотолитографии, оптотехнике систем полупроводник-металл, при определении к.п.д. фотокатодов.

При облучении системы полупроводник-металл фотоактивным светом происходит диффузия ионов металла из металлического слоя в слой полупроводника. Для количественной оценки фотохимических превращений, происходящих в системе полупроводник-металл, необходимо определить квантовый выход частиц (ионов) металла в полупроводник, т.е. к.п.д. светочувствительной системы.

К.П.Д. (квантовый выход) является важной характеристикой фотохимической реакции. Он характеризует соотношение числа прореагировавших и поглотивших свет молекул (атомов).

Удельное сопротивление тонких (50-300Å) слоев металла зависит от их толщины. На этом базируется метод определения квантового выхода частиц металла в полупроводник. В нем по экспериментальной зависимости удельного сопротивления от толщины металлического слоя определялась толщина слоя Ag, растворенного в As2S3 под действием фотоактивного света. Основным недостатком предложенного способа является экспоненциальная зависимость удельного сопротивления от толщины слоя, что сопряжено с большими погрешностями.

Особенность предлагаемого способа состоит в регистрации изменения сопротивления металлического слоя системы полупроводник-диэлектрик под действием падающего излучения.

Фотохимическая реакция может быть охарактеризована несколькими квантовыми выходами: первичным и общим, связанным с выходом продуктов. Практически трудно, а иногда вообще невозможно, определить концентрацию частиц (следовательно, и квантовый выход), образующихся в первичном процессе. Вместе с тем легко определить концентрацию конечных продуктов, образующихся в результате вторичных реакций. При этом общий квантовый выход определяется соотношением:

, (1)

где N - число образовавшихся под действием поглощенных фотонов молекул или ионов, n - число квантов света, поглощенных исходным веществом.

Т.е., под квантовым выходом (к.п.д.) частиц (ионов) металла в слой полупроводника при фотохимических превращениях в системе полупроводник-металл подразумевается отношение числа ионов металла N, диффундировавших в слой полупроводника под действием света, к числу поглощенных системой квантов света n. Число квантов света n, поглощенных системой полупроводник-металл на данной длине волны, определяется с помощью калиброванного фотоприемника по поглощенной системой полупроводник-металл энергии, которая рассчитывается по величине падающей энергии за вычетом отраженной и прошедшей энергий.

Т.е., определение η сводится к определению N. Для измерения квантового выхода частиц (атомов, ионов) из металлического слоя в слой полупроводника предлагается способ контроля количества металла, растворенного в полупроводнике при облучении, не требующий измерения толщины металлического слоя. Толщина металлического слоя выбирается заведомо большой, чтобы он обладал физико-химическими свойствами, близкими к свойствам массивного металлического образца. Кроме того, точность определения числа частиц металла, диффундировавших в полупроводник, определяется лишь точностью измерения сопротивления, длины и ширины металлического слоя, которые можно выполнить с высокой точностью.

До облучения системы фотоактивным светом сопротивление металлической змейки 3 (фиг.)

Фиг. 1. Схема светочувствительной системы полупроводник-металл на диэлектрической подложке

, (2)

где ρ - удельное сопротивление металла, B - общая длина металлической полоски, D - ширина, Н – толщина полоски.

При облучении системы полупроводник-металл происходит диффузия ионов металла из металлического слоя 3 в слой полупроводника 2. Экспериментально обнаружено, что проводимость чистого и легированного частицами металла полупроводника значительно ниже проводимости оставшегося металлического слоя. Легко показать, что сопротивление металлического слоя после облучения системы

, (3)

где h – эффективная глубина облучаемого участка; H, b - толщина металлического слоя и длина облучаемого участка. Эффективная глубина h – это глубина металлического слоя, на которой образовались непроводящие продукты реакции. Как следует из выражений (2) и (3),

. (4)

В свою очередь, число ионов металла, диффундировавших из области облучаемого участка в полупроводник,

, (5)

где d, μ - плотность и молекулярный вес металла соответственно. Как следует из выражения (5), значение N явно не зависит от эффективной глубины h и поэтому отпадает необходимость в ее определении.

Технико-экономические преимущества предлагаемого способа в сравнении с прототипом заключаются в повышении точности измерений, экономии энергетических и временных затрат, необходимых для реализации способа, обусловленной простотой измерений сопротивления, отсутствием необходимости определения толщины и удельного сопротивления металлического слоя, уменьшением числа операций обработки результатов.

 Скачать реферат