Энергосбережение на современном этапе

Рис.14. Схема емкостно-полупроводникового ПРА (а), схема полупро-водникового балласта непрерывного действия (б) и осциллограммы напряжения и тока на нем (в), схема полупроводникового балласта импульсного действия (г) и осциллограммы напряжения и тока на нем (д)

Рис.15. Классификация ПРА для разрядных ламп по типу токоограничивающего элемента

Аппараты с резистивными балластами используют при подключении разрядных ламп к сети постоянного тока или промышленной частоты. В них может быть использован балластный резистор или нелинейный резистор (например вольфрамовая спираль ЛН). Резистивные аппараты не получили широкого распространения из-за низкого к.п.д. Однако в настоящие время для КЛЛ находят применение емкостно-резистивные балласты, в которых указанный выше основной недостаток таких ПРА в известной степени нивелирован.

В полупроводниковых ПРА стабилизация тока лампы осуществляется с помощью полупроводниковых элементов, обычно транзисторов. Если в качестве нелинейного сопротивления используется транзистор (рис 16, а), то такая схема удовлетворительно работает на постоянном токе при незначительных колебаниях напряжения источника питания, но на переменном токе наблюдаются большие собственные потери. В импульсных полупроводниковых ПРА, носящих название динамического балласта (рис 16, б), транзистор работает в режиме ключа, и стабилизация тока лампы осуществляется с использованием инерционных свойств плазмы газового разряда. При этом форма напряжений на разрядной лампе изменяется (рис 17, а) так, что при открытом транзисторе (0) напряжение источника питания (), а при закрытом транзисторе () напряжение на лампе равно нулю. Анализ формы тока лампы показывает (рис. 17, б), что за время импульса напряжения ток лампы возрастает от Jo до Jmax, но за время паузы происходит частичная деионизация плазмы, возрастает ее сопротивление и следующий импульс тока опять начинается с Jo.

Рис.16. Схемы нелинейного (а) и импульсного (б) полупроводникового ПРА

В комбинированных ПРА стабилизация тока лампы осуществляется с помощью как реактивных элементов, так и полупроводниковых приборов. Причем, в качестве балластов используются дроссели, конденсаторы, транзисторы, тиристоры и другие полупроводниковые приборы, с большим количеством разнообразных схем. Например, наиболее значительные из них: с высокочастотным (ВЧ) генератором, емкостно-полупроводниковые, индуктивно-полупроводниковые и схемы с преобразованием частоты и формы тока.

Рис.17. Осциллограммы напряжения на лампе (а) и тока лампы (б) в схеме импульсного полупроводникового ПРА

Все схемы с ВЧ генератором построены практически по единой схеме (рис. 18), в которой питание лампы осуществляется от двух источников питания: силовое – через балласт 1 и повышенной частоты – через балласт 2. Схема с использованием дросселя в качестве низкочастотного балласта и конденсатора – в качестве высокочастотного (рис. 19, а) нашла применение в светорегуляторах, при работе ламп в условиях пониженного напряжения питания, а также для снижения пульсации светового потока ламп. В схеме комбинированного импульсного ПРА с двумя источниками питания (рис. 19, б) для поддержания разряда в лампе через балласт 2 поступают ионизирующие импульсы тока. Анализ формы напряжения и тока лампы показывает (рис. 20, а, б), что во время импульса () ток лампы поддерживается постоянным (), и за счет ионизации положительного столба разряда сопротивление лампы и напряжение на ней уменьшаются. В интервале ток ионизирующего генератора i2= 0, и ток лампы определяется только током . В силу того, что напряжение питания меньше напряжения горения разряда, происходит деионизация плазмы столба разряда, и ток постепенно уменьшается до Jmin. Затем подается импульс тока и все процессы повторяются. В схеме емкостно-полупроводникового ПРА (рис. 21, а) основное падение напряжения происходит на балластном конденсаторе C, что снижает напряжение на стабилизирующем транзисторе VT и тем самым повышает к.п.д. схемы. В индуктивно-полупроводниковом ПРА (рис. 21, б) симметричный тиристор VS шунтирует вспомогательный дроссель , что также обеспечивает повышение стабильности работы лампы и к.п.д. схемы. В настоящее время широко распространяется схема комбинированного ПРА с преобразователем частоты (рис. 22), обеспечивающая питание ЛЛ током повышенной частоты (20÷50 кГц), при этом повышается световая отдача ламп, снижаются размеры балластных дросселей и конденсаторов.

Рис.18. Обобщенная структурная схема комбинированного ПРА с ВЧ генератором

Рис. 19. Схемы комбинированных ПРА с ВЧ генератором и индуктивным балластом (а) и импульсного с двумя источниками питания (б)

Рис. 20. Осциллограммы напряжения на лампе (а) и тока лампы (б) в комбинированном импульсном ПРА

Схема емкостного ПРА с последовательным полупроводниковым стабилизатором тока на транзисторе (рис. 23, а) для ламп ЛЛ мощностью 20 Вт (при емкости балластного конденсатора 6,8 мкФ) обеспечивает следующие параметры: ток - 0,428 А; потребляемая мощность - 38 Вт; амплитуда тока лампы - 0,5; к.п.д. ПРА - 54,6%; коэффициент амплитуды тока - 1,17. Такая схема обладает достаточно низким к.п.д. и обеспечивает большие пульсации светового потока лампы. В полупроводниковых ПРА стабилизация средних за период параметров осуществляется, в основном, балластным конденсатором С, который обеспечивает статическую стабилизацию режима лампы. В то же время полупроводниковый стабилизатор тока служит для улучшения формы тока лампы и, таким образом, осуществляет динамическую стабилизацию режима.

В схеме емкостного ПРА с параллельным полупроводниковым стабилизатором (рис. 23, б) при малых токах весь ток конденсатора проходит через лампу. При увеличении тока сверх допустимого, прохождение части тока от конденсатора осуществляется в параллельную ветвь. Такая схема обладает несколько лучшими технико-экономическими показателями, однако и в ней пульсации светового потока находятся на уровне 30%.

 Скачать реферат