Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования статистических высококачественных моделей радиоэлементов

Таблица 8.2 - Сравнительные характеристики элементов конструкции

Из таблицы видно, что наименее устойчивыми элементами сх

емы являются транзисторы маломощные и микросхемы. Большинство элементов схемы имеет Пкр=10"4 Дж. Поэтому целесообразно повысить порог устойчивости слабых элементов на 3-4 порядка.

Такое повышение устойчивости элементов можно осуществить за счёт экранирования проводников, самих элементов а также за счет уменьшения длины соединительных проводников, что обеспечивается условиями разработки ВЧ-конструкций.

Заключение

При выполнении теоретической части выпускной квалификационной работы были рассмотрены компонентные, формальные и факторные модели радиокомпонентов, было спроектировано рабочее место для формирования статистических высокочастотных моделей двухполюсных и многополюсных радиоэлементов и изготовлен макет нестандартной части рабочего места в составе измерительно-контрольного устройства и головок для измерения высокочастотных параметров и ВАХ двухполюсных РК и транзисторов. Проведены испытания рабочего места на примере измерения статистических параметров ДП.

В процессе выполнения экспериментов были исследованы частотные и режимные характеристики пассивных линейных и нелинейных РК. Доказана возможность использования спроектированного рабочего места для измерения динамических параметров РК в диапазоне до 100 МГц.

Впервые установлено, что полное сопротивление полупроводникового диода на высокой частоте имеет индуктивный характер и предложена скорректированная модель диода.

Были выполнены необходимые конструктивные расчеты; технико-экономическое обоснование проведения опытно-конструкторских работ; оценка конкурентоспособности рабочего места для измерения параметров РК; расчет лимитной цены и цены потребления готового изделия; выбор мер по защите человека и окружающей среды; разработка методики защиты от ЭМИ ядерного взрыва.

Большая часть графической и вся текстовая части выполнены с применением современных средств ЭВМ (пакет программ Microsoft Office ХР; система трёхмерного твердотельного моделирования КОМПАС 3D v6.0; САПР печатных плат Р- CAD 2001 ).

Список литературы

1 Поливанов К. М. В трех частях. Часть первая. Теоретические основы электротехники. Линейные электрические цепи с сосредоточенными постоянными.- M.-JL: Энергия, 1965. - 360 с.

2 Ортюзи Ж. Теория электрических цепей. Т. 1. Анализ. Пер. с франц. Под ред. Л. Р. Явича.- М.: Мир, 1970. - 408 с.

3 Волгов В. А. Детали и узлы радиоэлектронной аппаратуры. Изд. второе, перераб. и доп.- М.: Энергия, 1977. - 656 с.

4 Альтман Дж. Устройства сверхвысоких частот., пер. с англ. Под ред. проф. И. В. Лебедева.- М.: Мир, 1968. - 788 с.

5 Транзисторы - параметры, методы измерений и испытаний. Под ред. И. Г. Бергельсона, Ю. А. Каменского, И. Ф. Николаевского.- М.: Сов. радио. 1968.-504 с.

6 Ильин В. И. Машинное проектирование электронных схем.- М.: Энергия, 1972.-280 с.

7 Макромоделирование аналоговых интегральных микросхем / А. Г. Алексеенко, Б. И. Зуев, В. Ф. Ламекин, И. А. Романов.- М.: Энергия, 1977. -96с.

8 Разевиг В. Д. Применение программ Ри-СОП и Pspice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ: В 4 вып.- М.: Радио и связь, 1992.-482 с.

9 Логан John. Моделирование при проектировании схем и систем.- ТИИЭР, 1972, т. 60, С. 207-223.

10 Логан John. Characterization end modeling for statically design.//«Ball. Syat. Techn. J.», 1971.- № 5.- p. 1105 - 1147.

11 Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учеб. Для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» - 4-е изд., перераб. И доп.-М.: Высш. шк., 1987.-479 с.

12 Чернышев А. А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.- М.: Радио и связь, 1988. - 256 с.

13 Gummel H. К. Poon H. С. An integral charge control model of bipolar transistors.//«Bell Syst. Techn. J.», 1970.- № 5.- p. 827 - 852.

14 Носов Ю. Р. и др. Математические модели элементов интегральной электроники.- М.: Сов. радио, 1976. - 304 с.

15 Адлер Ю. И., Маркова В. Н., Грановский Ю. В. Планирование эксперимента при пайке оптимальных условий.- М.: Наука, 1976. - 388 с.

16 Красовский Г. А., Филаретов Г. Ф. Планирование эксперимента.- Минск, изд. БГУ, 1982. - 302 с.

17 Щенк. Теория инженерного эксперимента.- М.: Мир. - 228 с.

18 Столярский Э. Измерение параметров транзисторов. / Пер. с польск. А. А. Визеля. Под ред. Ю. А. Каменского.- М.: Сов. радио, 1976. - 288с.

19 Кобол Р. Теория и применение полевых транзисторов.- М.: Энергия, 1975.-248 с.

20 Cintognetti P., Massobrio G. Smiconoluctor device modelling wich spice. McGraw - Hill.- New York, 1988. 391 p.

21 Энгель В. Л., Дирке X. К., Майнерцхаген Б. Моделирование полупроводниковых приборов.//ТИИЭР.- 1983.- Т7 !.-№!.- с.14-41.

22 Curtice W. E. A MOSFET model for use in the design of Ga-As integrated circuits//IEEE Transaction on Microwave theory and techniques.- 1980.- MTT.- p.28.

23 Statz H., Newman P., Smith I. W., Pusel R. A., Haus H. A. Ga As FET devis and circuit simulation in SPISE/ЛЕЕЕ Transactions of Microwave theory and techniques.- 1984.- MTT - 32.- p,471 - 473.

24 Microsim Pspice A/D Circuit Analysis References Manual. Ver. 6.2 Microsim Corporation.- California, 1995.-431 p.

25 Мирошник И. А., Рындин А, А., Шкурина Н. А., Шуткин В. С. Методика формирования транзистора для автоматизированного проектирования сигналов РЭА // Методы и устройства передачи информации по каналам связи: Межвуз. сб. науч. тр.- Воронеж. ВПИ, 1979.- с.115 - 119.

26 Мирошник И. А., Ершов Л. В., Жеребцов В. М. Некоторые результаты исследования волновых параметров интегральных схем в радиодиапазоне// МЗС серия: ЭЗ №13, 1979. ВИМИ. Спр. депон. №3 - 5965, НИИЭИР.

27 Мирошник И. А., Ершов Л. В., Жеребцов В. М., Жалнина Г. М. К вопросу исследования катушек индуктивности в зависимости от частоты, температуры и режима питания // РЖ Военная техника и экономика, сер. общетехн., №4, 1978. ВИМИ. Спр. о депон. №3 - 5478. НИИЭИР.

28 Мирошник И. А., Ершов Л. В., Жеребцов В. М., Жалнина Г. М. Формирование статических моделей индуктивных элементов электрических цепей // Радиотехнические устройства: Межвуз. сб. науч. тр.- Воронеж. ВПИ, 1978.-с. 98-102.

29 Мирошник И. А., Ситников В. Г., Чургомов В. А. Автоматизация формирования аналитических моделей линейных микросхем // Модели и алгоритмы сложных систем: Межвуз. сб. науч. тр.- Воронеж. ВПИ, 1985.- с. 131-136.

30 Мирошник И. А., Ершов Л. В., Жеребцов В. М., Никитин В. В. Исследования волновых параметров интегральных схем в радиодиапазоне // Средства связи, 1976.- Вып. 1-2.- с. 27 - 30.

 Скачать реферат